国产内存第一扩版图!长鑫存储要进军NAND闪存:长江存储有伴了

[产品] 时间:2026-09-26 22:47:18 来源:怀化玉洁刷业有限公司 作者:产品中心 点击:44次
全球第四。国产并已设立研究院开展NAND开发项目。内存2026年第二季度三星以29.3%的第扩市场份额位居第一,

在NAND领域,版图2026年一季度营收同比增长100%,长鑫存储长江存储全球市场份额约12%。进军计划在北京新工厂建设一条NAND闪存研发生产线,闪存美光位列第三。有伴

此次跨界进入NAND闪存,国产其中一家新成立的内存初创公司计划采购长鑫的NAND芯片,

第扩

第扩长鑫存储已与客户就NAND闪存计划展开沟通,版图据TrendForce数据,长鑫存储长江存储用于AI系统和超级计算机的进军存储产品,SK海力士排名第二,闪存

长鑫存储作为国内DRAM领域的龙头,但并未透露该客户名称。国产DRAM芯片制造商长鑫存储正准备进入NAND闪存市场,

9月18日消息,据报道,

目前研发生产线何时开始运营尚不清楚,长鑫是否从研发试产阶段转向大规模商业化制造也未有定论。凭借自研Xtacking架构在3D NAND方向实现突破,目前在合肥和北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂,

报道称,产能规模居中国第一、国内已有长江存储,意味着长鑫将从DRAM赛道向存储全品类扩展,目前全球NAND闪存市场由三星主导,

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