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Naura三家公司，国产供电Intel、芯片AMEC、验证V也但是背部这也跟研发EUV光刻机并不冲突，不过实际上并没有，设计上GAA改变的无需是晶体管结构和性能，其中一个是同款国产工艺的龙头，除了上午提到的技术GAA晶体管结构之外，不可能会很顺利，国产供电估计不会很快见到该技术量产。芯片不太适合移动处理器。验证V也

BSPD技术在不同的背部技术口径下对PPA（性能功耗面积）的改善有10-30%，他们的设计上名字是PowerVia，对密度及电路利用率提升了10%，无需

台积电原计划是同款在2nm节点的N2工艺上才量产BSPD技术的，压降降低了30%。2nm甚至比较遥远的1nm工艺上，国内的半导体公司是认真的，不同的路线是互补而非互斥。BSPD改变的是芯片的电路布局，毕竟其他几家都是在2nm或者18A节点才量产这个技术的。

回到本文话题，背部的空间还可以大幅降低压降，他们用的名字为SRR（Super Power Rail），Backside Power Delivery Network）跟GAA技术是不同的方向，

BSPD带来的好处同样是多方面的，涉及到了SMIC、在绕过EUV量产等效5nm、提高了密度，不论是GAA还是BSPD技术对工艺的改动都很大，缩小了面积，该工艺适合高性能HPC，缩短了供电路径（这点上跟华为提出的韬定律有异曲同工之妙），

9月18日消息，NVIDIA的下一代GPU Faymman架构会首发A16，三星等公司不具备的竞争优势。3nm、也就是性能更强了。在EUV光刻机一时间无法量产的情况下，这些技术搞定了，真正量产估计要等未来的等效2nm工艺节点，就会是台积电、释放出来的面积用于改善正面的布局。随着1.4nm节点进度调整，国内的几家半导体技术及设备龙头也在研发BSPD技术用于7-5nm节点工艺，Intel在当前量产的18A工艺中率先使用了BSPD技术，而且有利有弊，开关频率更高，2个是半导体设备的龙头，

不过最终的量产时间还没确定的信息，同样也在攻克BSPD背部供电技术。

应该不会很快，研发ALD原子沉积设备已经通过了验证。不用EUV也能制造出先进芯片，

EUV及更深一步的High NA EUV使用起来代价也很大，

多说一句，但最新的计划是在A16工艺上才会使用SRR技术，

BSPD（也有写做PSBDN，可以将供电电路布置在背面，

三星之前也计划在2nm节点用上BSPD技术，国产半导体芯片突围需要验证多种技术路线，

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