捅破AI存储天花板！闪迪、铠侠联手推出332层BiCS10闪存：1Tb容量+4.8Gb/s
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发布时间：2026-07-06 03:44:50
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读取能效提升30%。捅破天花闪迪与铠侠联合宣布，存储出层其一是板闪CMOS直接键合到阵列技术，位密度提升59%，迪铠第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。侠联 7月3日消息，手推闪存写入能效提升18%，容量专为AI训练、捅破天花
BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的存储出层两大核心工艺。
板闪板闪再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。迪铠铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，侠联推理及大规模云工作负载设计。手推闪存首款产品为1Tb TLC型号，容量将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，捅破天花目前没有公布具体的单颗售价。
其二是间距选择栅极漏极技术，BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、输出功耗降低34%。采用332层堆叠设计。
两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s，
能效表现方面，实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。这两项技术的成熟与迭代，其中数据中心领域增速达46%。较BiCS8提升了33%。通过优化存储单元的排列布局来提升密度。
技术层面，SCA协议及PI-LTT低功耗技术。为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。
性能方面，输入功耗较BiCS8降低10%，
