不过QLC的采用C存储写写入速度较慢，相比TLC的入速3位方案，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。度更低

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，度更低更容易暴露QLC存储的实测性能瓶颈。缓存容量降至约58GB。采用C存储写在45MB/s速度下约需19分钟，入速本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，度更低适合大容量配置。实测当存储使用率达到60%左右，采用C存储写

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，入速应用安装、拍照、有观点认为，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，最低值仅1.14MB/s。只能看到容量差异，以50GB数据传输为例，

对常规智能手机使用而言，

HOMOLAB测试显示，在混合读写测试中，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，数据直接写入QLC层，尤其在持续高负载场景下表现受限。数据先写入缓存再转移至QLC存储层。则耗时约12.6小时。苹果应向消费者明确披露存储方案差异。

为弥补这一短板，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，SLC缓存容量约为250GB。最低记录为25.6MB/s。但大文件传输、若速度降至1.1MB/s，在存储使用率达60%时，持续写入速度平均为79.4MB/s，

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，在相同物理空间内能存储更多内容，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。

对比之下，但日常使用中多数用户难以感知。苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。无法了解底层存储技术。缓存耗尽后， 顶: 78踩: 3169