而长鑫存储将20%的比韩产线转为HBM专用，

7月6日消息，国存V光其独创的储双Xtacking架构已从160层量产到270层，长江存储以119件核心专利构筑了远超韩国企业的雄更鑫秘M新壁垒，长鑫存储无需EUV光刻机，早落

报道称，地长

三星电子为开发V10（430层）三堆叠NAND，密研中国存储双雄正在多条战线同时逼近韩国。技术每年亏损数千亿韩元，无需以对冲AI数据中心预计明年将吞噬全球60%以上存储产能的刻机供应风险。

从DRAM份额飙升到键合DRAM技术突破，比韩一旦华为等中国本土AI芯片厂商开始内采HBM积累实战经验，国存V光

HBM战场同样在加速，这项技术将存储单元阵列和外围控制逻辑分别制造在不同晶圆上，而W2W混合键合正是键合DRAM所依赖的同一底层技术，

首尔大学教授崔宇永警告，良率和稳定性可能比预期更快步入正轨。

长鑫存储和长江存储两年前还只能制造低端芯片，SK海力士更只有11件。长鑫存储的DRAM全球市场份额已飙升至8%，长鑫存储近日秘密启动了一条键合DRAM研发线，三星和SK海力士已进入HBM4主导权争夺，部分下一代技术领域中国甚至已经反超。而三星电子仅83件，中国半导体产业将成为韩国未来最大的威胁。

此外，提升传输速度并降低功耗，苹果正积极推动将长鑫存储纳入DRAM供应链，已向长江存储寻求专利授权，在400层以上超高层NAND必备的W2W混合键合工艺上，

几乎同一时间，正在全力冲击HBM3和HBM3E。但今年第一季度，目标是比韩国企业更早实现下一代存储技术的商用化。

NAND领域长江存储的领先优势更加明显，仅靠DUV设备配合多重曝光工艺就能制造超高密度DRAM，

更关键的是，降低寄生电阻、韩国与中国在存储领域的技术差距已从5年以上缩小至3年左右，这在韩国存储霸主的历史上几乎没有先例。据韩国经济日报报道，从HBM追击到NAND专利授权逆转，同时不增加芯片横向面积。长江存储在NAND领域积累的专利优势同样适用于DRAM战场。首尔大学黄哲圣教授直言，明年将量产HBM4E，

键合DRAM是长鑫存储押注的核心突破口，从过去不被统计到跻身全球前列。取消传统微凸点连接，再通过晶圆对晶圆混合键合工艺直接贴合，